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绘制原则:1,绘制电器元件布置图时,机床的轮廓线用细实线或点划线表示,电器元件均用粗实线绘制出简单的外形轮廓。2,绘制电器元件布置图时,电动机要和被拖动的机械装置画在一起,行程关应画在获取信息的地方,作手柄应画在便于作的地方。坩埚 速度与转速,保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶,而速度将直接影响到晶体的内在质量,而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。提拉速度与转速单晶炉热场的设计与单晶直径在生长过程中可受到温度温度分布合适的热场一定要根据生长设备利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整。(2)在第二阶段,利用数值模拟是用来确定佳的晶体生长工艺参数。
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可以分为单管,双管和四管三类。单管DC/DC转换器共有六种,即降压式(Buck)DC/DC转换器 ,升压式(Boost)DC/DC转换器,升压降压式(Buck Boost)DC/DC转换器,Cuk DC/DC转换器,Zeta DC/DC转换器和SEPIC DC/DC转换器。在这六种 单管DC/DC转换器中,Buck和Boost式DC/DC转换器是基本的,Buck-Boost。按有源率器件的个数非隔离式DC/DC转换器Cuk,Zeta,SEPIC式DC/DC转换器是从中派生出来的。双管DC/DC转换 器有双管串接的升压式(Buck-Boost)DC/DC转换器。四管DC/DC转换器常用的是全桥DC/DC转换器(Full-Bridge Converter)。分子泵,真空泵,真空流量计,plc编程,控制屏,离子泵,涡轮分子泵,螺杆真空泵,涡旋高真空泵,存在问题该单晶炉二次增料装置存在主要问题如下: (1)、卡料:由于硅料之间、硅料与装置内部的部件之间存在摩擦力,落料时,硅料容易卡壳,甚硅料卡住拉杆1,致使其底部锥面与外筒5之间不能形成间隙,块状硅料不能实现下落;(2)、污染:硅料在实现落料的过程中,拉杆1底部锥面会被下面熔融硅料(单晶炉内)的高温所氧化而污染硅料,从而影响拉晶工艺或硅棒质量等缺点。