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发布时间:2024-05-04 06:45:34
普通的纳米器件随着尺寸的减小,被称1/f的噪音会越来越明显,使器件信噪比恶化。这种现象就是"豪格规则(Hoogeslaw)",石墨、碳纳米管以及硅材料都会产生该现象。如何减小1/f噪声成为实现纳米元件的关键问题之一。IBM通过重叠两层石墨,试制成功了晶体管。由于两层石墨之间生成了强电子结合,从而控制了1/f噪音。IBM华裔研究人员Ming-YuLin的该发现证明,两层石墨有望应用于各种各样的领域。5月美国乔治亚科技学院教授德希尔与美国麻省理工学院林肯实验室合作在单一芯片上生成的几百个石墨晶体管阵列。6月底日本东北大学电通信所末光真治教授在硅衬底上生成单层石墨膜,即石墨。可在不缩小情况下实现器件高速度工作,可用于每秒112赫兹级高频器件和超级微器。单层石墨膜很难,为厚度仅为一个碳原子的蜂窝状石墨结构。末光教授的团队控制碳化硅形成时的结晶方向和硅衬底切割的结晶方向,得到1×15平方微米面积的两层石墨膜,其晶格畸变率仅为1.7%。
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